GaP
Gallium fosfidi (GaP) kristalli yaxshi sirt qattiqligi, yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi va keng tarmoqli o'tkazuvchanligiga ega bo'lgan infraqizil optik materialdir.Zo'r keng qamrovli optik, mexanik va termal xususiyatlari tufayli GaP kristallari harbiy va boshqa tijorat yuqori texnologiyali sohalarda qo'llanilishi mumkin.
| Asosiy xususiyatlar | |
| Kristal tuzilishi | Sink aralashmasi |
| Simmetriya guruhi | Td2-F43m |
| 1 sm dagi atomlar soni3 | 4,94·1022 |
| Auger rekombinatsiya koeffitsienti | 10-30sm6/s |
| Debay harorati | 445 K |
| Zichlik | 4,14 g sm-3 |
| Dielektrik doimiy (statik) | 11.1 |
| Dielektrik doimiy (yuqori chastota) | 9.11 |
| Samarali elektron massasiml | 1.12mo |
| Samarali elektron massasimt | 0,22mo |
| Samarali teshik massalarimh | 0.79mo |
| Samarali teshik massalarimlp | 0,14mo |
| Elektron yaqinligi | 3,8 eV |
| Panjara doimiysi | 5.4505 A |
| Optik fonon energiyasi | 0,051 |
| Texnik parametrlar | |
| Har bir komponentning qalinligi | 0,002 va 3 +/-10% mm |
| Orientatsiya | 110 - 110 |
| Sirt sifati | scr-dig 40-20 - 40-20 |
| Yassilik | 633 nm - 1 da to'lqinlar |
| Parallellik | yoy min < 3 |
