Nd: YAP kristallari

Kimyoviy formula:YAlO3:Nd3+

Kristal tuzilishi:D162h

Panjara doimiysi:a=5,176, b=5,307, c=7,355

Sinishi indeksi:na=1,929, nb=1,943, nc=1,952

dn/dT:na:9,7x10-6 K-1 nc:14,5x10-6 K-1

Zichlik:5,35 g/sm3

Erish nuqtasi:1870 ° S

Maxsus issiqlik:400 J/(kg K)

Issiqlik o'tkazuvchanligi:0,11 Vt/(sm K)

Termal kengayish:9,5 x 10-6 K-1 (a o'qi) 4,3 x 10-6 K-1 (b o'qi) 10,8 x 10-6 K-1 (c o'qi)

Knoop qattiqligi:977 (o'q)

WhatsApp Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF sifatida yuklab oling

Mahsulot detali

Asosiy xususiyatlar

Nd: YAP AlO3 perovskite (YAP) qattiq holatdagi lazerlar uchun taniqli xostdir.YAP kristall anizotropiyasi ko'plab afzalliklarga ega. Bu kristaldagi to'lqin vektor yo'nalishini o'zgartirish orqali to'lqin uzunligini kichik sozlash imkonini beradi.Bundan tashqari, chiqish nuri chiziqli polarizatsiyalangan.
Nd: YAP kristallarining afzalliklari:
1079 nm da Nd: YAG bilan 1064 nm da taqqoslanadigan chegara va qiyalik samaradorligi
1319nm da Nd: YAG bilan solishtirganda 1340nm da yuqori samaradorlik
Chiziqli polarizatsiyalangan chiqish nuri
1319 nm bilan solishtirganda 1340 nm suv va tana suyuqligida yuqori so'rilish

Kimyoviy formula	YAlO3:Nd3+
Kristal tuzilishi	D162h
Panjara doimiysi	a=5,176, b=5,307, c=7,355
Sinishi indeksi	na=1,929, nb=1,943, nc=1,952
dn/dT	na:9,7×10-6 K-1 nc:14,5×10-6 K-1
Zichlik	5,35 g/sm3
Erish nuqtasi	1870 ° S
Maxsus issiqlik	400 J/(kg K)
Issiqlik o'tkazuvchanligi	0,11 Vt/(sm K)
Termal kengayish	9,5 x 10-6 K-1 (eksa) 4,3 x 10-6 K-1 (b o'qi) 10,8 x 10-6 K-1 (c o'qi)
Knoop qattiqligi	977 (o'q)

Texnik xususiyatlari:

Dopant kontsentratsiyasi	Nd 0,7-0,9% da cwand impuls t 1079nm 0,85~0,95 at% cwat 1340nm Boshqa qo'shimcha moddalar konsentratsiyasi so'rov bo'yicha mavjud.
Orientatsiya	5° ichida
Rod o'lchamlari	Diametri 2~10mn Uzunligi 20~150mm Buyurtmachining talabiga binoanr
O'lchovli toleranslar	Diametri +0,00/-0,05 mm, Uzunlik: ± 0,5 mm
Barrel tugatish	Maydalangan va silliqlangan
Parallellik	≤10″
Perpendikulyarlik	≤5′
Yassilik	< l/10 @632,8nm
Sirt sifati	10-5(MIL-0-13830B)
Chamfer	0,15±0,05 mm
AR qoplamasining aks ettirish qobiliyati	< 0,25% (@W64nm)