GaSe kristalli

Gallium Selenid (GaSe) chiziqli bo'lmagan optik yagona kristall, katta chiziqli bo'lmagan koeffitsient, yuqori shikastlanish chegarasi va keng shaffoflik diapazonini birlashtirgan.GaSe - IQ o'rtalarida SHG uchun juda mos material.DIEN TECHGaSe kristalini noyob katta hajm va yuqori sifat bilan ta'minlang.

GaSe ning chastotani ikki baravar oshirish xususiyatlari 6,0 mkm dan 12,0 mkm gacha bo'lgan to'lqin uzunligi oralig'ida o'rganildi.GaSe CO2 lazerining samarali SHG uchun muvaffaqiyatli ishlatilgan (9% gacha konvertatsiya);impulsli CO, CO2 va kimyoviy DF-lazer (l = 2,36 mkm) nurlanishining SHG uchun;CO va CO2 lazer nurlanishini ko'rinadigan diapazonga aylantirish;Neodimiy va infraqizil bo'yoq lazerini yoki (F-)-markaziy lazer impulslarini farq chastotasini aralashtirish orqali infraqizil impulslarni hosil qilish;3,5–18 mikron oralig'ida OPG yorug'lik ishlab chiqarish;terahertz (T-nurlari) nurlanish hosil bo'lishi.Materialning tuzilishi (001 tekislik bo'ylab yorilish) qo'llash sohalarini cheklab qo'yganligi sababli, ma'lum bir fazaga mos keladigan burchaklar uchun kristallarni kesish mumkin emas.
GaSe juda yumshoq va qatlamli kristalldir.Belgilangan qalinlikdagi kristall ishlab chiqarish uchun biz qalinroq boshlang'ich blankani olamiz, masalan, 1-2 mm qalinlikdagi va keyin sirt silliqligi va tekisligini saqlab, buyurtma qilingan qalinlikka yaqinlashishga harakat qilib, qatlam-qatlamni olib tashlashni boshlaymiz.Biroq, qalinligi taxminan 0,2-0,3 mm yoki undan kam bo'lgan GaSe plitasi osongina egilib, tekis o'rniga kavisli sirtga ega bo'lamiz.
Shunday qilib, biz odatda 10x10 mm kristall uchun 0,2 mm qalinlikda qolamiz, dia.1 '' CA ochilish diapazonli ushlagichga o'rnatiladi.9-9,5 mm.
Ba'zan biz 0,1 mm kristallar uchun buyurtmalarni qabul qilamiz, ammo biz juda nozik kristallar uchun yaxshi tekislikka kafolat bermaymiz.
GaSe kristallarining qo'llanilishi:
• TGs (T-nurlari) nurlanish hosil bo'lishi；
• TGs diapazoni: 0,1-4 TGs;
• CO 2 lazerining samarali SHG (9% gacha konversiya);
• impulsli CO, CO2 va kimyoviy DF-lazer (l = 2,36 mkm) nurlanishning SHG uchun;
• CO va CO2 lazer nurlanishini ko'rinadigan diapazonga aylantirish;Neodimiy va infraqizil bo'yoq lazerini yoki (F-)-markaziy lazer impulslarini farq chastotasini aralashtirish orqali infraqizil impulslarni hosil qilish;
• 3,5 - 18 mkm oralig'ida OPG yorug'lik ishlab chiqarish.
SHG o'rta IR (CO2, CO, kimyoviy DF-lazer va boshqalar)
IR lazer nurlanishini ko'rinadigan diapazonga aylantirish
3-20 mikron oralig'ida parametrlarni yaratish
GaSe kristallarining asosiy xususiyatlari:
Shaffoflik diapazoni, mkm 0,62 - 20
Nuqta guruhi 6 m2
Panjara parametrlari a = 3,74, c = 15,89 Å
Zichlik, g/sm3 5,03
Mohs qattiqligi 2
Sinishi ko'rsatkichlari:
5,3 mkm da no= 2,7233, ne= 2,3966
10,6 mkm da no= 2,6975, ne= 2,3745
Chiziqli bo'lmagan koeffitsient, pm / V d22 = 54
4,1° ga 5,3 mkm balandlikda yuring
Optik shikastlanish chegarasi, MVt/sm2 28 (9,3 mkm, 150 ns);0,5 (10,6 mkm, CW rejimida);30 (1,064 mkm, 10 ns)